[12643個在庫]
- 品番:
- IRFZ34NSTRR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFZ34NSTRR electronic components. IRFZ34NSTRR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFZ34NSTRR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFZ34NSTRR 製品の属性
品番 :
IRFZ34NSTRR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
29A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
40 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
700pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 68W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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