WeEn Semiconductors - BYC30W-1200PQ

KEY Part #: K6445932

[1939個在庫]


    品番:
    BYC30W-1200PQ
    メーカー:
    WeEn Semiconductors
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2. Rectifiers BYC30W-1200PQ/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in WeEn Semiconductors BYC30W-1200PQ electronic components. BYC30W-1200PQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYC30W-1200PQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYC30W-1200PQ 製品の属性

    品番 : BYC30W-1200PQ
    メーカー : WeEn Semiconductors
    説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
    電流-平均整流(Io) : 30A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 3.3V @ 30A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 65ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 1200V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-247-2
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-2
    動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)
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