説明 :
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
800mA (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
200pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-HVMDIP
パッケージ/ケース :
4-DIP (0.300", 7.62mm)