BYM12-100HE3_A/H 価格設定（USD） [726943個在庫]
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- 品番:
- BYM12-100HE3_A/H
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 1A,100V,50NS GL41 AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM12-100HE3_A/H electronic components. BYM12-100HE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM12-100HE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM12-100HE3_A/H 製品の属性
品番 :
BYM12-100HE3_A/H
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
20pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-213AB, MELF (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-213AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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