Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3GHE3/57T

KEY Part #: K6446344

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    品番:
    ES3GHE3/57T
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES3GHE3/57T 製品の属性

    品番 : ES3GHE3/57T
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 3A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 50ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 400V
    静電容量@ Vr、F : 30pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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