Vishay Semiconductor Diodes Division - UF8CT-E3/4W

KEY Part #: K6446642

UF8CT-E3/4W 価格設定(USD) [1696個在庫]

  • 2,000 pcs$0.17075

品番:
UF8CT-E3/4W
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 8A ITO220AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UF8CT-E3/4W electronic components. UF8CT-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF8CT-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF8CT-E3/4W 製品の属性

品番 : UF8CT-E3/4W
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 150V 8A ITO220AC
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.02V @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 20ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
サプライヤーデバイスパッケージ : ITO-220AC
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • BAT54-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • IDB18E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

  • VS-50WQ10FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ04FNPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

  • VS-30CPF02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

  • VS-80EPF02PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.