ES07B-M-08 価格設定（USD） [703962個在庫]
- 1 pcs$0.05254
- 30,000 pcs$0.04513
- 品番:
- ES07B-M-08
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 500MA DO219. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES07B-M-08 electronic components. ES07B-M-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES07B-M-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES07B-M-08 製品の属性
品番 :
ES07B-M-08
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO219
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
500mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
980mV @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
4pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-219AB (SMF)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
-
-
-
-
DPG10IM300UC
IXYS
DIODE GEN PURP 300V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 10 Amps 300V
-
-
ホットパーツ
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18