STGD4M65DF2 価格設定（USD） [220933個在庫]
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- 品番:
- STGD4M65DF2
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STGD4M65DF2 electronic components. STGD4M65DF2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGD4M65DF2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STGD4M65DF2 製品の属性
品番 :
STGD4M65DF2
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
シリーズ :
M
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
8A
電流-パルスコレクター（Icm） :
16A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.1V @ 15V, 4A
パワー-最大 :
68W
スイッチングエネルギー :
40µJ (on), 136µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
15.2nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
12ns/86ns
試験条件 :
400V, 4A, 47 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
133ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
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