[9640個在庫]
- 品番:
- FGD3N60LSDTM-T
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- INTEGRATED CIRCUIT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGD3N60LSDTM-T electronic components. FGD3N60LSDTM-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGD3N60LSDTM-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGD3N60LSDTM-T 製品の属性
品番 :
FGD3N60LSDTM-T
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
INTEGRATED CIRCUIT
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
6A
電流-パルスコレクター（Icm） :
25A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
1.5V @ 10V, 3A
パワー-最大 :
40W
スイッチングエネルギー :
250µJ (on), 1mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
12.5nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
40ns/600ns
試験条件 :
480V, 3A, 470 Ohm, 10V
逆回復時間（trr） :
234ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
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