Infineon Technologies - SIGC158T120R3LEX1SA2

KEY Part #: K6423197

SIGC158T120R3LEX1SA2 価格設定(USD) [3751個在庫]

  • 1 pcs$11.54544

品番:
SIGC158T120R3LEX1SA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT 1200V 150A DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIGC158T120R3LEX1SA2 製品の属性

品番 : SIGC158T120R3LEX1SA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT 1200V 150A DIE
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : -
電流-パルスコレクター(Icm) : 450A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 150A
パワー-最大 : -
スイッチングエネルギー : -
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : -
Td(オン/オフ)@ 25°C : -
試験条件 : -
逆回復時間(trr) : -
動作温度 : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die

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