ON Semiconductor - FGA6065ADF

KEY Part #: K6424784

FGA6065ADF 価格設定(USD) [23090個在庫]

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品番:
FGA6065ADF
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
IGBT 650V 120A 306W TO3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA6065ADF 製品の属性

品番 : FGA6065ADF
メーカー : ON Semiconductor
説明 : IGBT 650V 120A 306W TO3P
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 650V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 120A
電流-パルスコレクター(Icm) : 180A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.3V @ 15V, 60A
パワー-最大 : 306W
スイッチングエネルギー : 2.46mJ (on), 520µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 84nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 25.6ns/71ns
試験条件 : 400V, 60A, 6 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 110ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PN

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