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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 52A TO-252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America NP52N055SUG-E1-AY electronic components. NP52N055SUG-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP52N055SUG-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NP52N055SUG-E1-AY 製品の属性
品番 :
NP52N055SUG-E1-AY
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 55V 52A TO-252
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
52A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14 mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
57nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3200pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.2W (Ta), 56W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252 (MP-3ZK)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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