Infineon Technologies - D1230N18TXPSA1

KEY Part #: K6425437

D1230N18TXPSA1 価格設定(USD) [921個在庫]

  • 1 pcs$50.39122

品番:
D1230N18TXPSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies D1230N18TXPSA1 electronic components. D1230N18TXPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for D1230N18TXPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

D1230N18TXPSA1 製品の属性

品番 : D1230N18TXPSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1800V
電流-平均整流(Io) : 1230A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.063V @ 800A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 50mA @ 1800V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : DO-200AA, A-PUK
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 180°C

あなたも興味があるかもしれません
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T