ON Semiconductor - EGP30K

KEY Part #: K6429221

EGP30K 価格設定(USD) [368470個在庫]

  • 1 pcs$0.10038
  • 2,500 pcs$0.09610

品番:
EGP30K
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Rectifiers 3A Rectifier UF Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor EGP30K electronic components. EGP30K can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP30K, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP30K 製品の属性

品番 : EGP30K
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : 75pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-201AD
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

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