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ON Semiconductor - FQPF4N90C

KEY Part #: K6400603

FQPF4N90C 価格設定（USD） [50279個在庫]

  • 1 pcs$0.53099
  • 10 pcs$0.47120
  • 100 pcs$0.37253
  • 500 pcs$0.27327
  • 1,000 pcs$0.21574
品番:
FQPF4N90C
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQPF4N90C electronic components. FQPF4N90C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF4N90C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF4N90C 製品の属性

品番 : FQPF4N90C
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 960pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 47W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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