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- 品番:
- STL17N3LLH6
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STL17N3LLH6 electronic components. STL17N3LLH6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL17N3LLH6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STL17N3LLH6 製品の属性
品番 :
STL17N3LLH6
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
シリーズ :
DeepGATE™, STripFET™ VI
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1690pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerFlat™ (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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