説明 :
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
27nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
985pF @ 15V
消費電力(最大) :
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8