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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55DA(STA4,Q,M) electronic components. TK4A55DA(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK4A55DA(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK4A55DA(STA4,Q,M) 製品の属性
品番 :
TK4A55DA(STA4,Q,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS
シリーズ :
π-MOSVII
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
550V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.45 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
380pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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