TK31V60X,LQ 価格設定（USD） [38347個在庫]
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- 品番:
- TK31V60X,LQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ electronic components. TK31V60X,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK31V60X,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK31V60X,LQ 製品の属性
品番 :
TK31V60X,LQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
シリーズ :
DTMOSIV-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 1.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3000pF @ 300V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
240W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-DFN-EP (8x8)
パッケージ/ケース :
4-VSFN Exposed Pad
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