[12483個在庫]
- 品番:
- BSN20,215
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BSN20,215 electronic components. BSN20,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSN20,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSN20,215 製品の属性
品番 :
BSN20,215
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 50V 173MA SOT-23
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
50V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
173mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
15 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
25pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
830mW (Tc)
動作温度 :
-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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