BAS516,H3F 価格設定（USD） [3056256個在庫]
- 1 pcs$0.01210
- 品番:
- BAS516,H3F
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F electronic components. BAS516,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS516,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS516,H3F 製品の属性
品番 :
BAS516,H3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
250mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 150mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
3ns
電流-Vrでの逆漏れ :
200nA @ 80V
静電容量@ Vr、F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-79, SOD-523
サプライヤーデバイスパッケージ :
ESC
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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