BAS116E6433HTMA1 価格設定（USD） [3737866個在庫]
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- 品番:
- BAS116E6433HTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BAS116E6433HTMA1 electronic components. BAS116E6433HTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116E6433HTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116E6433HTMA1 製品の属性
品番 :
BAS116E6433HTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Last Time Buy
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
80V
電流-平均整流（Io） :
250mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 150mA
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
1.5µs
電流-Vrでの逆漏れ :
5nA @ 75V
静電容量@ Vr、F :
2pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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