RFN2LAM6STR 価格設定（USD） [493751個在庫]
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- 品番:
- RFN2LAM6STR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vr 1.5A Io Fast Recovery Diode
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFN2LAM6STR electronic components. RFN2LAM6STR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN2LAM6STR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFN2LAM6STR 製品の属性
品番 :
RFN2LAM6STR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
1.5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.55V @ 1.5A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-128
サプライヤーデバイスパッケージ :
PMDTM
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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