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Microsemi Corporation - JAN1N1190

KEY Part #: K6443762

JAN1N1190 価格設定（USD） [1608個在庫]

  • 1 pcs$32.30308
  • 100 pcs$32.14236
品番:
JAN1N1190
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N1190 electronic components. JAN1N1190 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N1190, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N1190 製品の属性

品番 : JAN1N1190
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/297
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
電流-平均整流（Io） : 35A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.4V @ 110A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-5
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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