GSD2004W-HE3-08 価格設定（USD） [1760237個在庫]
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- 品番:
- GSD2004W-HE3-08
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GSD2004W-HE3-08 electronic components. GSD2004W-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSD2004W-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GSD2004W-HE3-08 製品の属性
品番 :
GSD2004W-HE3-08
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
240V
電流-平均整流（Io） :
225mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1V @ 100mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 240V
静電容量@ Vr、F :
5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-123
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-123
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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GSD2004W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns
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