VS-HFA08SD60S-M3 価格設定（USD） [40837個在庫]
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- 品番:
- VS-HFA08SD60S-M3
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA08SD60S-M3 electronic components. VS-HFA08SD60S-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA08SD60S-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA08SD60S-M3 製品の属性
品番 :
VS-HFA08SD60S-M3
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA
シリーズ :
HEXFRED®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 8A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
55ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-PAK (TO-252AA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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