メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
750mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
550 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
0.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
36pF @ 16V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
X2-DFN1006-3