HTNFET-DC 価格設定（USD） [230個在庫]
- 1 pcs$214.11918
- 品番:
- HTNFET-DC
- メーカー:
- Honeywell Aerospace
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Honeywell Aerospace HTNFET-DC electronic components. HTNFET-DC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HTNFET-DC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HTNFET-DC 製品の属性
品番 :
HTNFET-DC
メーカー :
Honeywell Aerospace
説明 :
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
シリーズ :
HTMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.3nC @ 5V
Vgs（最大） :
10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
290pF @ 28V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tj)
動作温度 :
-
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
パッケージ/ケース :
8-CDIP Exposed Pad
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