Microsemi Corporation - APT13F120S

KEY Part #: K6394888

APT13F120S 価格設定(USD) [8724個在庫]

  • 1 pcs$5.22183
  • 45 pcs$5.19585

品番:
APT13F120S
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT13F120S electronic components. APT13F120S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT13F120S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT13F120S 製品の属性

品番 : APT13F120S
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4765pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 625W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D3Pak
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA