SCT3022KLGC11 価格設定（USD） [878個在庫]
- 1 pcs$52.84242
- 品番:
- SCT3022KLGC11
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT3022KLGC11 electronic components. SCT3022KLGC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT3022KLGC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT3022KLGC11 製品の属性
品番 :
SCT3022KLGC11
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
95A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
18V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.6V @ 18.2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
178nC @ 10V
Vgs（最大） :
+22V, -4V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2879pF @ 800V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
427W
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247N
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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