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ON Semiconductor - FCB20N60TM

KEY Part #: K6397439

FCB20N60TM 価格設定（USD） [30897個在庫]

  • 1 pcs$1.33387
  • 800 pcs$1.28706
品番:
FCB20N60TM
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCB20N60TM electronic components. FCB20N60TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCB20N60TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCB20N60TM 製品の属性

品番 : FCB20N60TM
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
シリーズ : SuperFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3080pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 208W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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