RS1JHE3_A/I 価格設定（USD） [854622個在庫]
- 1 pcs$0.04328
- 7,500 pcs$0.04003
- 品番:
- RS1JHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC. Rectifiers 600 Volt 1.0A 250ns 37 Amp IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS1JHE3_A/I electronic components. RS1JHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1JHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RS1JHE3_A/I 製品の属性
品番 :
RS1JHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
250ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
7pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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