IXKG25N80C 価格設定（USD） [4446個在庫]
- 1 pcs$10.77064
- 25 pcs$10.71706
- 品番:
- IXKG25N80C
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 25A ISO264.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXKG25N80C electronic components. IXKG25N80C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKG25N80C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXKG25N80C 製品の属性
品番 :
IXKG25N80C
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
150 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
166nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
250W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISO264™
パッケージ/ケース :
ISO264™
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXFM10N90
- AOT416L_001
- AON4407L
- SPI12N50C3HKSA1
- GP1M012A060H
- NVD4809NT4G
- UPA2735GR-E1-AT
- BSB017N03LX3 G
- IPD053N06N3GBTMA1
- IRFH5104TRPBF
- BSS308PEL6327HTSA1
- FDD6770A
- IRF7703TRPBF
- AOL1428
- IXFH13N100
- HAT2267H-EL-E
- HUF76645P3
- HUF75842S3S
- FQPF3N80CYDTU
- ZVP2110ASTOA
- GP2M002A060CG
- MTD6P10E
- SPB80N06S2-07
- IRFR9014NTRR
- IRFPC50LC
- IRL640
- IRFB9N65A
- IRFZ14
- STB5N52K3
- IPP100N12S305AKSA1
- AOV11S60
- IPS70R360P7SAKMA1
- NVMFS5C426NWFAFT3G
- BUK7Y2R0-40HX
- TK8A50D(STA4,Q,M)
- RCD050N20TL
- IPD50P04P413ATMA1
- IPD30N06S223ATMA2
- IRFR024NTRLPBF
- NX7002BKVL