Nexperia USA Inc. - NX7002BKVL

KEY Part #: K6421718

NX7002BKVL 価格設定(USD) [3196221個在庫]

  • 1 pcs$0.01163
  • 10,000 pcs$0.01157

品番:
NX7002BKVL
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. NX7002BKVL electronic components. NX7002BKVL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NX7002BKVL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NX7002BKVL 製品の属性

品番 : NX7002BKVL
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 270mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 23.6pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 310mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-236AB
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • SI3434-TP

    Micro Commercial Co

    MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23.

  • BSS316NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23.

  • FDV301N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.

  • SSM3J325F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.