Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV100-GS18

KEY Part #: K6458625

BAV100-GS18 価格設定(USD) [3225988個在庫]

  • 1 pcs$0.01147
  • 10,000 pcs$0.01080

品番:
BAV100-GS18
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 60V 500mW
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV100-GS18 electronic components. BAV100-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV100-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV100-GS18 製品の属性

品番 : BAV100-GS18
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 250mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 100mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
サプライヤーデバイスパッケージ : SOD-80 MiniMELF
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

あなたも興味があるかもしれません
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode