Vishay Semiconductor Diodes Division - V12P10HE3/86A

KEY Part #: K6448682

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    品番:
    V12P10HE3/86A
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    V12P10HE3/86A 製品の属性

    品番 : V12P10HE3/86A
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
    シリーズ : eSMP®, TMBS®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
    電流-平均整流(Io) : 12A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 700mV @ 12A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 250µA @ 100V
    静電容量@ Vr、F : -
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : TO-277, 3-PowerDFN
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-277A (SMPC)
    動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

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