EGL34GHE3_A/I 価格設定（USD） [732237個在庫]
- 1 pcs$0.05051
- 品番:
- EGL34GHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,400V,50NS AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34GHE3_A/I electronic components. EGL34GHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34GHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGL34GHE3_A/I 製品の属性
品番 :
EGL34GHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
500mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.35V @ 500mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
7pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-213AA (Glass)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-213AA (GL34)
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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