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ON Semiconductor - NDB6060L

KEY Part #: K6416966

NDB6060L 価格設定（USD） [75691個在庫]

  • 1 pcs$0.51917
  • 800 pcs$0.51658
品番:
NDB6060L
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NDB6060L electronic components. NDB6060L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDB6060L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDB6060L 製品の属性

品番 : NDB6060L
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 48A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 60nC @ 5V
Vgs（最大） : ±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2000pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 100W (Tc)
動作温度 : -65°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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