NDB6060L 価格設定（USD） [75691個在庫]
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- 品番:
- NDB6060L
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NDB6060L electronic components. NDB6060L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDB6060L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDB6060L 製品の属性
品番 :
NDB6060L
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
48A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
20 mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
60nC @ 5V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
-65°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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