VS-GT50TP60N 価格設定（USD） [535個在庫]
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- 品番:
- VS-GT50TP60N
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
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VS-GT50TP60N 製品の属性
品番 :
VS-GT50TP60N
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
85A
パワー-最大 :
208W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.1V @ 15V, 50A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
3.03nF @ 30V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤーデバイスパッケージ :
INT-A-PAK
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