ON Semiconductor - FDMS3660AS

KEY Part #: K6522113

FDMS3660AS 価格設定(USD) [138425個在庫]

  • 1 pcs$0.26720
  • 3,000 pcs$0.25922

品番:
FDMS3660AS
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMS3660AS electronic components. FDMS3660AS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS3660AS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3660AS 製品の属性

品番 : FDMS3660AS
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13A, 30A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.7V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2230pF @ 15V
パワー-最大 : 1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : Power56

あなたも興味があるかもしれません