Renesas Electronics America - HAT2165H-EL-E

KEY Part #: K6418693

HAT2165H-EL-E 価格設定(USD) [73406個在庫]

  • 1 pcs$0.56782
  • 2,500 pcs$0.56500

品番:
HAT2165H-EL-E
メーカー:
Renesas Electronics America
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Renesas Electronics America HAT2165H-EL-E electronic components. HAT2165H-EL-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HAT2165H-EL-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HAT2165H-EL-E 製品の属性

品番 : HAT2165H-EL-E
メーカー : Renesas Electronics America
説明 : MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 55A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.3 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5180pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 30W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK
パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.