CUHS10F60,H3F 価格設定（USD） [1198992個在庫]
- 1 pcs$0.03085
- 品番:
- CUHS10F60,H3F
- 詳細な説明:
- SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI. Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CUHS10F60,H3F electronic components. CUHS10F60,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CUHS10F60,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CUHS10F60,H3F 製品の属性
品番 :
CUHS10F60,H3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
60V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
-
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
40µA @ 60V
静電容量@ Vr、F :
130pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
2-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
US2H
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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