1SS196(TE85L,F) 価格設定（USD） [1694228個在庫]
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- 品番:
- 1SS196(TE85L,F)
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS196(TE85L,F) electronic components. 1SS196(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS196(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1SS196(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
1SS196(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
80V
電流-平均整流（Io） :
100mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 100mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
500nA @ 80V
静電容量@ Vr、F :
3pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-59-3
動作温度-ジャンクション :
125°C (Max)
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