Taiwan Semiconductor Corporation - S10MC M6G

KEY Part #: K6457522

S10MC M6G 価格設定(USD) [546876個在庫]

  • 1 pcs$0.06763

品番:
S10MC M6G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 10A DO214AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S10MC M6G 製品の属性

品番 : S10MC M6G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 10A DO214AB
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : -
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : 60pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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