Vishay Semiconductor Diodes Division - MURS260-E3/5BT

KEY Part #: K6449801

MURS260-E3/5BT 価格設定(USD) [558937個在庫]

  • 1 pcs$0.06618
  • 3,200 pcs$0.06098

品番:
MURS260-E3/5BT
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA. Rectifiers 600 Volt 2.0A 50ns 35 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MURS260-E3/5BT electronic components. MURS260-E3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURS260-E3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURS260-E3/5BT 製品の属性

品番 : MURS260-E3/5BT
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.45V @ 2A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • CSD04060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2.

  • RURD4120S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 1.2KV 4A DPAK.

  • MA3X70300L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • BAS16WE6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323.

  • CSD06060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2.

  • CSD02060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO263-2.