Infineon Technologies - BAS16WE6433HTMA1

KEY Part #: K6449713

[647個在庫]


    品番:
    BAS16WE6433HTMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BAS16WE6433HTMA1 製品の属性

    品番 : BAS16WE6433HTMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 80V
    電流-平均整流(Io) : 250mA (DC)
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 150mA
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 4ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 75V
    静電容量@ Vr、F : 2pF @ 0V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : SC-70, SOT-323
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-SOT323-3
    動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

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