Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8208(TE12L,Q)

KEY Part #: K6524714

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    品番:
    TPC8208(TE12L,Q)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208(TE12L,Q) electronic components. TPC8208(TE12L,Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8208(TE12L,Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC8208(TE12L,Q) 製品の属性

    品番 : TPC8208(TE12L,Q)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP
    シリーズ : -
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 50 mOhm @ 2.5A, 4V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 200µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9.5nC @ 5V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 780pF @ 10V
    パワー-最大 : 450mW
    動作温度 : 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP (5.5x6.0)

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