[521個在庫]
- 品番:
- IXTV200N10T
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTV200N10T electronic components. IXTV200N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTV200N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTV200N10T 製品の属性
品番 :
IXTV200N10T
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
シリーズ :
TrenchMV™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
550W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS220
パッケージ/ケース :
TO-220-3, Short Tab
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