Nexperia USA Inc. - PMXB350UPEZ

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品番:
PMXB350UPEZ
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMXB350UPEZ 製品の属性

品番 : PMXB350UPEZ
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.3nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 116pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DFN1010D-3
パッケージ/ケース : 3-XDFN Exposed Pad

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