GeneSiC Semiconductor - 1N5831

KEY Part #: K6425116

1N5831 価格設定(USD) [7149個在庫]

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品番:
1N5831
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5831 製品の属性

品番 : 1N5831
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 35V
電流-平均整流(Io) : 25A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 580mV @ 25A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 2mA @ 20V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
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